不良解析：プリント基板などの不良解析

酸化膜厚測定

SERA測定例（Sn表面のSnO，SnO2厚み測定結果）

＜ランドの酸化膜厚とはんだ付け性＞

• 試験方法：Pbフリーレベラー基板にソルダーペーストを印刷し、リフロー後のはんだ広がり面積を測定した。
• 上記操作の前に基板をリフロー（1回および3回）し､加熱処理とした。
• 試験結果
  　（１）加熱処理により酸化膜厚が増し、はんだの広がり面積が減少。
  　（２）熱処理を繰り返すことで、SnO2の増加が顕著に認められた。

SERA測定例（Sn表面のSnO，SnO2厚み測定結果）
加熱処理によるランドの酸化膜厚変化	加熱処理によるはんだの広がり性変化
加熱処理なし	リフロー3回

走査型電子顕微鏡写真

真空中においてサンプルに電子線を照射し、試料表面から放出される2次電子を測定することにより、表面形状を知ることができます。光学顕微鏡に比べ、分解能・焦点深度に優れ、微小領域の観察（微小領域での不良解析）に用いられます。

IC開封・LED開封

発煙硝酸や有機溶剤を利用し、各種電子部品パッケージなどを開封して表面観察を行ないます。アルミ配線腐食や、過電流による破壊状況などを観察し、不良解析を行います。

EDS線分析

SEM画像内の任意の線分において、各位置における元素濃度を測定します。金属層の厚さや化合物層の確認に使用します。
写真は線分析の一例です。Zn,Cu,Ni,Snの順に層を形成していることが分かります。

EDS元素マッピング

元素分布を色分けすることにより2次元画像で表したものです。サンプルの組成を視覚的に分かりやすく表現することが出来ます。

オージェ電子分光分析

サンプルに電子線を照射すると、基底状態にあった原子の内殻から電子がはじき出され励起状態になります。この励起状態の原子が再び基底状態へ遷移する時、余分なエネルギーが電子の放出に使われ、これをオージェ電子と呼びます。オージェ電子のエネルギー分布を測定することにより、固体表面数nm層の元素を分析することができます。

エネルギー分散型元素分析

• 電子線を照射されたサンプルは2次電子のほかにもX線を放出します。特性X線は原子の電子準位の差に相当するエネルギーを持つため、X線のエネルギーを測定することによりサンプルの構成元素を知ることができます。
• 5B〜92Uが検出でき、検出限界は1〜0.1%程度です。
• 下のチャートはゴムのEDS測定結果です。Auは蒸着によるもので、加硫のSのほかZnやCaが添加されていることが分かります。

蛍光X線微小膜厚計

X線を照射した際に放出されるX線のエネルギーより元素を、X線の強度より膜厚を測定するものです。簡便な膜厚測定法として使用しています。

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