シリコンドリフトディテクタシステム
エネルギー分散型X線検出器と計数回路
シリコンドリフトディテクタシステムの特徴
- 高エネルギー分解能 ⇒ FWHM＜150eV＠5.9keV
- 高計数率 ⇒ 入射カウント数＞2×105cps
- 電子冷却 ⇒ 液体窒素不要
- T08パッケージ ⇒ 小型、軽量化
応用例
- X線回折・蛍光X線分析
- 全反射蛍光X線分析
- 放射光を用いた分析
- 学校・研究所での基礎実験用
- EPMA
- XAFS
シリコンドリフトディテクタの原理
シリコンドリフトディテクタ（SDD）の構造は、Si/PINに電界効果トランジスタFETを一体化し、さらに、 X線の入射により発生した電子を中心部のアノードに集める電位勾配のリングが作られています。
この構造により、静電容量の減少、サーマルノイズの減少が図られ、かつ電荷集荷効果が向上し、モレ電流が減少します。
このため、Si/PIN検出器と比べ、エネルギー分解能が向上し、P/B比も大きくなります。
※グラフをクリックすると拡大します。
高計数対応性能
特殊高分子膜使用SDDによる軽元素分析例
分解能性能
SDD検出器の内部構造
その他、特注仕様についてもご相談下さい。
仕様
検出器（SDD）仕様
| 有効結晶径 | 7mm2、10mm2、30mm2、80mm2 |
|---|---|
| 結晶厚み | 450µm |
| 検出器ハウジング | TO8 |
| 入射窓 | 8µm Be / 特殊高分子膜 |
| コリメータ | Zr |
| 冷却システム | ベルチェ素子 |
| 温度制御範囲 | ～-35℃ 室温25℃ |
| 温度モニタ | 有り |
計数回路（DSP）仕様
デジタルシグナルプロセッサはメインアンプ（パルスプロセッサ）とMCAが1枚の基板にまとめられたコンパクト・高性能型
| ピーキングタイム | 0.5～75µsec |
|---|---|
| ハードウェアメモリ領域 | 2000ch～8000ch |
| ゲインコントロール | 有り |
| パイルアップ リジェクションレベル |
有り |
使用条件
| 温度 | 温度：0～25℃ |
|---|---|
| 湿度 | 20～80％ |
| 電源 | AC100V±10％、2A |
| 接地 | 第3種接地 |
※液体窒素は不要
SDDシステム構成
お問い合わせ
アワーズテック株式会社は、21世紀の環境保全、材料開発に不可欠なX線要素技術を駆使し、 小型・省エネ・省資源・低コスト・高性能・利便性を付加した装置造りに専念しています。
オプションもございますので、ご要望をお聞かせくだされば、最適なシステム構成をご提案させていただきます。
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