静電破壊試験

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評価事例-静電破壊試験

電子部品の電気的特性試験 / 半導体デバイスの耐候性試験 /
ラッチアップ試験 / 静電破壊試験 / 半導体デバイスの機械的試験

 静電破壊試験

半導体デバイスを電子機器に実装するまでの取り扱い中に於いて、半導体デバイスが受ける静電気放電に対する耐性を評価する為の試験です。
半導体デバイスが静電気を受けると、内部配線の溶断や酸化膜の破壊、内部リードの溶断等の破壊現象が生じ、オープン/ショート特性や動作不良となります。
◎試験項目
(1)人体帯電モデル静電破壊試験
  (HBM/ESD)
【静電破壊試験条件】:100pF, 1.5kΩ
【静電破壊試験回路】:図-1
【規格準拠】:EIAJ ED-4701/304
静電破壊試験(HBM,MM)
(2)マシンモデル静電破壊試験
   (MM/ESD)
【静電破壊試験条件】:200pF,0Ω
【静電破壊試験回路】:図-1
【規格準拠】:EIAJ ED-4701/304
(3)デバイス帯電モデル静電破壊試験
   (CDM/ESD)
【静電破壊試験条件】:電圧放電
【静電破壊試験回路】:図-2
【規格準拠】:EIAJ ED-4701/305
静電破壊試験(CDM)

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静電破壊試験装置などの電気試験装置、各種環境試験装置、機能検査のためのテスタ、万一の不良解析のための走査形電子顕微鏡、電子線マイクロアナライザ、超音波探傷装置、エミッション顕微鏡などをはじめとする解析装置を揃え、電子部品・半導体の信頼性試験総合アウトソーシングソリューションを提供いたします。お気軽にお問い合わせください。

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