先端技術と素材産業を結び、資源循環型社会に貢献する。
スパッタリングターゲット 三菱マテリアル株式会社製
薄膜は現代社会の様々な分野で使用されています。その薄膜形成に欠かせないもの、それがスパッタリングターゲットです。
半導体、LCDディスク、光記録・光磁気記録用ディスク、センサー、磁気ディスク、機能性ガラス、超伝導などの各分野で使用される、あらゆるスパッタリングターゲットを供給しています。
半導体用ターゲット
高集積化・微細化が進む半導体デバイスの各種成膜のために、高純度・低パーティクルの大口径化（φ 300mm）に対応した大型ターゲットの供給も可能です。
特に、誘電体材料（高誘電体、強誘電体）は、その電極材も含めて、MOCVD材、ゾルゲル液と合わせて各種薄膜形成方法に最適の材料を総合的に供給します。さらに書換型光ディスクで培った「相変化材料」に関する技術を生かして次世代の不揮発性相変化メモリー用材料の展開にも注力しています。
製品紹介
| 品名 | 組成/元素系 | 純度 | 特徴 |
|---|---|---|---|
| アルミニウム系ターゲット | Al,Al-Si,Al-Si-Cu,Al-Cu-Ti,etc. | 5N | 高純度・微細組織品・低α（U,Th≦ 1ppb） |
| シリサイドターゲット | Wsi,MoSi,TiSi,etc. | 5N | 超微細組織品でパーティクルを極端に低減 還元法でガス成分を含む不純物を除去 |
| Tiターゲット | Ti（BD,拡散結合,one-body） | 4N5 6N |
微細組織化による超低パーティクル化実現 |
| 高融点金属ターゲット | TiW,W,Mo,Ta,Ru,Pt,Ni,Co,etc. | 4N 5N |
高純度、高密度化 |
| シリコンターゲット | Si,B-doped Si,P-doped Si | 5N | 大口径（〜φ 13"）の単結晶Si、角型大寸法 |
| 高純度Cuターゲット | Cu | 6N | 独自のCu精製技術による超高純度銅 |
| 強誘電体ターゲット | BaSrTiOx,PbZrTiOx,BaTiOx,etc. | 5N | 高速成膜/低リーク電流で均質もフォロジーを実現 |
