X線光電子分光分析(XPS)などの表面分析受託サービス

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EAGのX線分析手法
EDS / LEXES / X線光電子分光分析(XPS) /  XRD / XRF / TXRF / XRR

 X線光電子分光分析(XPS)とは

XPSの大きな特徴は、単に元素分析の情報だけではなく、元素の化学結合状態が得られることである。

N, Siの濃度の異なる3種類のHfO2膜の高分解能XPSの結果

図はN, Siの濃度の異なる3種類のHfO2膜の高分解能XPSの結果を示したものである。 ここではXPSはN, O, Siと結合したHfの量を定量的に求めるために用いられた。これらの濃度の違いは電気的、 物理的な特性の違いに直接関連し、このようなHf系酸化膜は今日の最先端半導体デバイスに用いられてる。


X線光電子分光分析(XPS)の特徴

長所

○ 試料表面(表面から約5nm程度)における定量的な組成および化学状態分析
○ 薄膜、残留物、多層膜の深さ方向分析
○ H,Heを除く全元素のサーベイ分析
○ 極表面検出手法(情報深さは5nm程度)

制限

○ 最小分析領域は30um程度
○ 検出下限は通常0.1%程度


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