全反射蛍光X線分析（TXRF）などの表面分析受託サービス

全反射蛍光X線分析（TXRF）とは

TXRFとは、特にポリッシュされたウエハー表面の金属汚染を評価するのに用いられる、XRFから分化した分析手法である。 測定の特徴はXRFと同様であるが、X線ビームの入射角が試料表面からわずか〜0.2°という点が異なる。 全反射条件の結果、分析深さを10nmまたはそれ以下に限定して分析することができる。 これにより、数μmの深さまで到達するXRF分析と比較して、表面汚染に対してのXRF測定の感度を劇的に改善することができる。

図は、様々な汚染物質で汚染されたSiウエハーから得られたTXRF分析のスペクトルである。 Fe,CuまたはCaのような汚染を管理する事は、半導体デバイスの性能および信頼性にとって重要である。
TXRFは、半導体ウエハー上の主要汚染の定性に幅広く活用できる手法である。 TXRFシステムは一般的にウエハーの取扱いを自動化する事により、ウエハーのあらゆる個所をスキャニングすることを可能にし、 またウエハー全面の汚染を測定する事も可能としている。

全反射蛍光X線分析（TXRF）の特徴

長所

○半導体ウエハー上の微量レベルの汚染元素の定性及び定量
○フルウエハースキャニング
○主要金属元素に対しての検出下限値は「〜5E9atoms/cm²」
○ウエハーハンドリングの自動化

制限

○分析エリアの最小サイズは〜1cmΦ程度
○Mgより軽い元素を測定できない
○Siウエハー上の低いレベルのAlを検出できない
○深さ方向分布は得られない

特徴：300mmウエハーまで分析可能、非破壊測定

全反射蛍光X線分析におけるX線源の選択（W Lb or Mo Ka）

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