TOF-SIMS（飛行時間型二次イオン質量分析）などの表面分析受託サービス

TOF-SIMS（飛行時間型二次イオン質量分析）とは

試料の最表面に存在する原子や分子を同定する分析法。分析原理としては、固体試料表面にガリウムなどのイオン（一次イオン）を照射し、放出される二次イオンを一定の電圧で加速すると、イオンの質量の差により検出器への到達時間（飛行時間）に差が出ることを利用している。
TOF-SIMSでは、極微量（ppmオーダー）の無機物・有機物の同定や表面に存在する成分の分布分析が可能。TOF-SIMSは主に金属、半導体、無機物、有機物、高分子材料の最表面の化学構造解析、元素・化学種の分布像や深さ方向の分析に用いられる。また、絶縁物の測定も可能。

TOF-SIMS（飛行時間型二次イオン質量分析）の特徴

特徴：全元素同時分析（定性分析、マッピング測定 ）, 200mm ウエハまで対応可能。

TOF-SIMS（飛行時間型二次イオン質量分析）の主な用途

• 試料表面における有機物や微量元素のキャラクタリゼーション
• 試料表面に存在する元素のマッピング
• コンタミネーションの同定（単元素や分子として）
• 不良解析（表面付着物、パッド電極不良、コーティング不良など）
• 試料表面洗浄プロセスの評価（QA/QC）
• その他

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