LEXES(低エネルギーX線分析)などの表面分析受託サービス

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EAGのX線分析手法:EDS、LEXES、XPS、XRD、XRF、TXRF、XRR EAGのX線分析手法:エネルギー分散型X線分光分析、低エネルギーX線分析、X線光電子分光分析、X線回折、蛍光X線分析、全反射蛍光X線分析、X線反射率測定
EAGのX線分析手法
EDS / 低エネルギーX線分析(LEXES) / XPS /  XRD / XRF / TXRF / XRR

LEXESとは?

Low Energy X-ray Emissions Spectrometry(低エネルギーX線分析)

低エネルギーの電子線の照射により、試料表面から放出される特性X線を検出する手法。数nmから数百nmの深さ情報を得ることができる。

薄膜組成、浅い注入ドーズ量評価に最適 な手法

LEXES(低エネルギーX線分析):薄膜組成、浅い注入ドーズ量評価に最適
特性X線の強度はイオン注入ドーズ量、膜厚に比例

LEXES(低エネルギーX線分析):特性X線の強度はイオン注入ドーズ量、膜厚に比例

低エネルギーX線分析(LEXES) の特徴

LEXESの大きな特徴は、高精度でウエハ全体のマッピングを行うことができる点である。
Bが7e14cm-2のドーズ量で注入された300mmウエハ全体のBマッピング
図は、Bが7e14cm-2のドーズ量で注入された300mmウエハ全体のBマッピングを示したものである。
中心から右側の位置のB濃度が、周辺部に比べて10%程度が低くなっていることがわかる。 LEXESでは面内のドーズ分布、組成、膜厚分布を1%程度の精度で得ることができる。 また、同様の精度でウエハ間、試料間の比較を行うことができる。

長所

○ イオン注入ドーズ量、膜組成、膜厚のフルウエハサイズのマッピング
○ 試料間、試料面内を高精度(1-2%)で分析
○ B,C,N,Oなどの軽元素も5e13atoms/cm3の検出下限で測定可能。

制限

○ 最大情報深さは約500nm程度
○ 結果は積分濃度表示(atoms/cm2
○ 深さ分布情報は得られない
○ 濃度について高い正確さが必要な場合には標準試料が必要

LEXES装置(CAMECA Shallow Probe300)

LEXES(Shallow Probe 300)
高精度な分析手法ですので、面内均一性の評価や試料間比較に最適です。
O,C,Nなどの軽元素も定量できます。

 LEXES(Shallow Probe 300)の特徴:

  • 高精度測定手法(データの再現性:1-2%程度 ) 
  • BeからUまで分析可能(元素毎の個別測定)
  • 試料サイズは小さな試料から300mmウエハサイズまで対応 (分析領域は10〜100μm程度)
  • 検出感度は1e13〜1e14atoms/cm2(元素依存性あり )
  • nm領域からサブμm領域の分析深さ
  • 非破壊測定

LEXES(低エネルギーX線分析)の主な応用例:

  • 浅いイオン注入のドーズ量評価 
  • プラズマドーピングのドーズ量評価
  • ALD膜の組成評価
  • SiGe膜の組成評価
  • エピ膜の組成評価(AlGaNなど)
  • バリア膜の組成評価(TiN(Cl),TaNなど)
  • ゲート絶縁膜(SiON,HfO2,HfSiON等のhigh-k膜など)の組成評価

LEXES(低エネルギーX線分析)の精度:

  • 目的
    ・LEXES装置の繰り返し測定精度の調査 
    ・生データのばらつきの調査
  • 試料
    ・300mm ウエハAsイオン注入試料( 2keV, 1.00E+15 at/cm2)
  • 実験
    ・ウエハ内25ポイント測定。(各ポイントは5回の繰り返し測定を実施)
    ・3ヶ月間の40測定を実施。約10回については3から4測定毎に試料の出し入れを行う
    各測定日毎に定量換算係数を使用した場合
    LEXES(低エネルギーX線分析)の精度
     1つの定量換算係数を全データに用いた場合 (生データのバラツキ)
    LEXES(低エネルギーX線分析)の精度

LEXES(低エネルギーX線分析)の精度の測定精度:

As Implanted into 300mm Si Wafer
2keV As Implanted SPC Wafer Average RDS
1つの定量換算係数を用いた場合 8.77e14 1.33%
各測定日毎に定量換算係数を用いた場合 8.83e14 0.64%

1%以下の精度で分析可能!!


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